EXAMEN MCEMI 3

A detailed and colorful illustration of a MOS capacitor and semiconductor junction, showing operational principles and characteristics in an educational and engaging style.

MCEMI 3 Capacitor Exam

Test your knowledge on MOS capacitors and semiconductor junctions with our MCEMI 3 quiz! This quiz is designed for students and professionals in the field of electronics.

  • 10 challenging multiple-choice questions
  • Focus on MOS capacitor operation and junction theories
  • Improve your understanding of semiconductor physics
10 Questions2 MinutesCreated by ExploringTech42
Regimurile de functionare ale capacitorului MOS sunt:
Acumulare, golire, inversie
Blocare, inversie, saturatie
Golire, acumulare, saturatie
Blocare, golire, inversie
Diferența între caracteristicile unui capacitor ideal și ale unuia real este:
Diferența de potențial de contact
Translația cu marimea 2· VFB
Translația cu marimea 1/2· VFB
Translația cu marimea VFB
Problema nivelul de injecție este specifică:
Joncțiunilor pn asimetrice
Joncțiunilor pn polarizate direct
Joncțiunilor pn polarizate invers
Joncțiunilor pn polarizate invers
Stratul de inversie format la suprafața semiconductorului între sursă și drenă , pentru un potential pe poartă superior tensiunii de prag (VG>VT) se numește:
Regiune golită
Regiune spațială
Canal
Substrat
Sărăcirea de purtători a canalului către drenă determină:
Creșterea curentului de drenă
Creșterea rezistenței canalului
Scaderea rezistenței canalului
Dispariția canalului
Aproximația graduală este valabilă pentru:
Regim de blocare
Canal scurt
Regim de saturație
Regim liniar
Modelulu Ihantola-Moll se caracterizează astfel:
Potențialul de suprafață al unui capacitor MOS în inversie puternică rămâne practic constant în raport cu tensiunea de pe poartă
Aproximația de golire,
Mobilitatea purtătorilor în canal este constantă
Existența stratului de sarcină mobilă în inversie slabă
Modelul Merckel-Borel-Cupcea porneste de la:
Expresia generală a curentului de drenă
Expresia sarcinii de volum
Expresia curentului total în canal
Expresia concentrației de electroni
Curentul de drenă are o ușoara creștere în raport cu tensiunea aplicată pe drenă, în cazul în care:
Lungimea canalui este constantă
Nu există canal
Lungimea canalului se scurtează
Lungimea canalului crește
Mobilitatea de suprafață descrie:
Mișcarea golurilor în stratul de inversie
Mișcarea electronilor în stratul de inversie. Adică la suprafața semiconductorului
Rețeaua cristalină specifică suprafeței semiconductorului
Deplasarea electronilor către suprafață
{"name":"EXAMEN MCEMI 3", "url":"https://www.quiz-maker.com/QPREVIEW","txt":"Test your knowledge on MOS capacitors and semiconductor junctions with our MCEMI 3 quiz! This quiz is designed for students and professionals in the field of electronics.10 challenging multiple-choice questionsFocus on MOS capacitor operation and junction theoriesImprove your understanding of semiconductor physics","img":"https:/images/course5.png"}
Powered by: Quiz Maker