MinAMi
Semiconductor Fundamentals Quiz
Test your knowledge on semiconductor technology and related measurement techniques with our comprehensive quiz. This engaging quiz covers various aspects of material properties, testing methods, and device structures.
It is ideal for:
- Students in electronics and engineering
- Professionals looking to refresh their knowledge
- Anyone interested in semiconductor technology
A melegtűs (40-50C) eljárás
. Az adalékok minőségének meghatározására szolgál, de csak egyenletes adalékeloszlás esetén használható.
Az adalékok minőségének meghatározására szolgál. Foszfor adalékolás esetén a hideg tű pozitív.
A félvezető vezetési típusának meghatározására szolgál. Ha a felületre helyezett tűpár meleg tagja pozitív, akkor a félvezető n típusú.
Az adalékok minőségének meghatározására szolgál. Bőr adalékolás esetén a hideg tű pozitív.
A kontaktusfelületekhez rögzíti a kivezetéshez szükséges aranyszálat.
. A lapkát borító polimer lágyítására szolgál
. A félvezető vezetési típusának meghatározására szolgál. Ha a felületre helyezett tűpár meleg tagja pozitív, akkor a félvezető p típusú.
Az adalékok minőségének meghatározására szolgál. Arzén, vagy antimon adalékolás esetén a hideg tű pozitív
Mi látható a képen, és milyen módszerrel adódtak az eredmények?
A. Vastagréteg integrált áramkör fényképe és a tűs letapogatással (Talystep) mért magasságprofil (baloldalon), valamint a kerámia görbültsége (jobboldalon).
Vékonyréteg integrált áramkör fényképe és a tűs letapogatással (Talystep) mért magasságprofil (baloldalon), valamint a kerámia görbültsége (jobboldalon).
Vékonyréteg integrált áramkör fényképe és a négytűs módszerrel mért potenciáleloszlások a kék vonalak mentén
Vastagréteg integrált áramkör fényképe és a Kelvin módszerrel mért potenciáleloszlások a kék vonalak mentén.
Vastagréteg integrált áramkör fényképe és a négytűs módszerrel mért potenciáleloszlások a kék vonalak mentén.
Jelölje meg a termikus teszteléssel kapcsolatos állítások közül a helyeseket!
A termikus tesztelés alkalmas a lapka és a tok közötti kötés minőségének megállapítására
Egy rendszer termikus időállandója a termikus ellenállás és a hökapacitás szorzata
A termikus feszültség (Seebeck feszültség) a tok és a lapka eltérő hőtágulásából adódó mechanikai feszültség, amely a hővezetést is befolyásolja
A lézerdiódák és a nagy teljesítményű világító diódák felmelegedése kisebb, mint a nyitófeszültségük és áramuk szorzatából és a termikus ellenállásból kiszámolható érték, ezért hűtésükre nincs szükség.
A villamos rendszerekben kialakuló hőáram az elektromos áram és a feszültség szorzata.
Vákuumban elhelyezkedő tárgyak között hőátadás nem lehetséges, mert a vákuum hővezető képessége zérus, vagyis a termikus ellenállása végtelen.
A hőkapacitás és az elektromos kapacitás arányosak egymással.
A termikus impedancia elektromos helyettesítőképében villamos komponensek (elektromos ellenállás, kapacitás, induktivitás) szerepelnek
A struktúrafüggvény az eszköz szerkezetét írja le, a höellenállások és hőkapacitások nem játszanak benne szerepet.
A lézerdiódák felmelegedése kisebb, mint a nyitófeszültségük és áramuk szorzatából és a termikus ellenállásból kiszámolható érték.
A termikus ellenállás az elektromos ellenállás és az abszolút hőmérséklet szorzata.
Körülbelül mekkorára áll be az integrált áramkörökben az IRDS szerint a legkisebb eszközméret határ az elkövetkezendő években, és milyen műszerrel vizsgálhatók az ebbe a mérettartományba eső alakzatok?
60 nm, pásztázó transzmissziós elektronmikroszkóp, atomerő mikroszkóp, pásztázó alagút mikroszkóp
6 nm, ilyen alakzatokról nem készíthető kép, mert a leképező módszerekben alkalmazott gerjesztések hullámhosszai ennél sokkal hosszabbak
60 nm, ilyen alakzatokról nem készíthető kép, mert a leképező módszerekben alkalmazott gerjesztések hullámhosszai ennél sokkal rövidebbek
6 nm, ilyen alakzatokról nem készíthető kép, mert a leképező módszerekben alkalmazott gerjesztések hullámhosszai ennél sokkal rövidebbek
6 nm, pásztázó transzmissziós elektronmikroszkóp, atomerö mikroszkóp, pásztázó alagút mikroszkóp
Mire szolgálnak a képen látható elemek?
. A létrahálózaton való jelterjedési sebesség mérésére.
A kis négyzetes ellenállások pontos meghatározására
A rétegvastagság pontos mérésére négyvezetékes módszerrel.
A négyzetes ellenállás mérésére négyvezetékes (Kelvin) módszerrel.
A fotoreziszt és marási technológia felbontásának vizsgálatára. Az ellenállásméréshez négyvezetékes elrendezés célszerű.
. A kontaktus-átmeneti ellenállások pontos mérésére.
Mi a sztatikus kondenzátoros csatolás problémája felületi potenciálmérés esetén?
A kondenzátoron az egyenáram nem tud áthaladni
Az elektrosztatikus feltöltödés átütéshez vezethet.
A kondenzátoron az egyenfeszültség nem tud áthaladni.
Az egyenfeszültség nagyságára vonatkozó információ továbbítására nem alkalmas.
A szilícium egykristály szelet geometriája
(BOW, WARP) nem lényegesek a fotoreziszt technológia szempontjából, mert a lakk fölcentrifugálás során kialakuló terülését nem befolyásolják.
Makyoh módszerrel vizsgálható, ami a szelet felületéről visszavert hanghullámok interferenciájának képszerű megjelenítésén alapul.
Kapacitív eljárással nem vizsgálható, mert ehhez a szelet felületén kontaktust kellene létrehozni, és így a vizsgálat roncsolásosnak minősülne
Makyoh módszerrel vizsgálható
Ultrahangos módszerrel vizsgálható.
Ultrahangos módszerrel nem vizsgálható, mert a szelet nem engedi át a hanghullámokat, így azok a szelet másik oldalán nem detektálhatóak
Nem lényeges paraméter, mert a gyártás szempontjából az elektromos paraméterek a lényegesek
Milyen elektronikus eszközök láthatók az a), b), és c) ábrán
Vezeték kereszteződése VLSI integrált áramkörben, b.) lépcsőfedést vizsgáló tesztstruktúra, c.) átvezetések különféle vezetékezési szintek között VLSI integrált áramkörben,
A.) lépcsöfedést vizsgáló tesztstruktúra, b.) vezeték kereszteződése VLSI integrált áramkörben, c.) átvezetések különféle vezetékezési szintek között VLSI integrált áramkörben,
A.) "gate all around" (GAA) tranzisztor b.) FinFET tranzisztor, c.) vertikális "gate all around" tranzisztor
A.) FinFET tranzisztor, b.) laterális "gate all around" (GAA) tranzisztor, c.) vertikális "gate all around" (VGAA) tranzisztor
Milyen képek láthatók az a.) b.) és c.) ábrákon?
A.) Pásztázó elektronmikroszkóp visszaszórt elektron képe, b.) Optikai mikroszkóp világos látóterű képe, c.) Optikai mikroszkóp sötét látóterű képe
a.) Pásztázó elektronmikroszkóp szekunder elektron képe, b.) Pásztázó elektronmikroszkóp visszaszórt elektron képe (detektor jelek egymásból kivonva), c.) Pásztázó elektronmikroszkóp visszaszórt elektron képe (detektor jelek összegezve)
A.) Pásztázó elektronmikroszkóp visszaszórt elektron képe, b.) Pásztázó elektronmikroszkóp visszaszórt elektron képe (detektor jelek egymásból kivonva), c.) Pásztázó elektronmikroszkóp szekunder elektron képe.
A.) Pásztázó elektronmikroszkóp szekunder elektron képe, b.) Optikai mikroszkóp világos látóterű képe, c.) Optikai mikroszkóp sötét látóterű képe,
A ) Pásztázó elektronmikroszkóp szekunder elektron képe, b.) Pásztázó elektronmikroszkóp visszaszórt elektron képe (detektor jelek összegezve), c.) Pásztázó elektronmikroszkóp visszaszórt elektron képe (detektor jelek egymásból kivonva)
A vákuumban felgyorsított ionnyaláb
. Alkalmas a mikroelektronikai rétegszerkezetek feltárására pásztázó elektronmikroszkópos vizsgálatokhoz
Visszaszól! hélium ionjai alkalmasak rétegszerkezet feltárására (Rutherford backscattering). A módszer alapja a visszaporlasztott részecskék töltés/tömeg viszonyának vizsgálata
Ionjai porlasztják a szilárd test felületet. A leporlasztott szekunder ionok tömeg szerinti szétválasztásával és analizálásával megállapítható a szilárd test felület összetétele (SIMS).
Az ionimplantáció eszköze, felületanalízisre nem használható a becsapódó ionok nagy tömege miatt
A négyzetes ellenállás
. inhomogén adalékolás és több, egymás fölött elhelyezkedő, különböző vezetési típusú réteg esetén is esetén is egyértelmű információt ad az adalékolásra vonatkozóan.
Nem kapcsolatos a fajlagos ellenállással, mert a réteg vastagságával fordítottan arányos
Adott értékéhez különféle adalékkoncentrácó profilok is tartozhatnak
A vékony vezető/félvezető réteg ellenállásának és szélesség/hossz aránynak a szorzata
A lineáris ellenállás négyzetével egyenlő.
Reciproka vékony rétegekben a felületegységre eső töltéshordozók számával arányos.
A lencsék segítségével végrehajtott optikai leképezés során
. A képsíkban a különböző rendben elhajlított fénysugarak interferenciája hozza létre a valódi képet.
A sötét látótér nem megvalósítható, mert a tárgyat mindenképpen meg kell világítani
A korszerű VLSI áramkörök legkisebb részletei nem jelennek meg.
A lencse átmérője nem lényeges, mert a felbontást az alkalmazott fény hullámhossza korlátozza. A lencse átmérője csak a keletkezett kép fényességét befolyásolja.
A fókuszsíkban a tárgy képének kétdimenziós Fourier transzformáltja jelenik meg.
A felbontást az alkalmazott fény hullámhossza korlátozza.
Hogyan lehet egy félvezető felületi tartományában az adalékkoncentráció helyfüggését meghatározni?
A felületen kialakított MOS rendszer C-V görbéjének deriválásával az akkumulációs és az inverziós tartományban.
A felületen kialakított MOS rendszer C-V görbéjének deriválásával a kiürítéses tartományban.
A felületi rétegek leporlasztásával, és a porlasztón részecskék analizálásával (SIMS).
Ferde csiszolaton mért négyzetes ellenállás adatokból.
A felületen kialakított MOS rendszer C-V görbéjének integrálásával (a Berglund integrál kiszámítása)
A felületen kialakítón MOS rendszer akkumulációs és az inverziós kapacitásának hányadosából
Röntgen diffrakció segítségével, az adalékokon szóródó röntgensugarak analizálásával
Pásztázó elektronmikroszkópos részecskeszámlálással.
Milyen célra használatos az alabbi alakzat?
A kontaktusok átmeneti ellenállásának pontos mérésére.
A négyzetes ellenállás pontos mérésére
A tesztábra méréshez szolgáló berendezés kalibrálására.
A méréshez használt optikai rendszer hitelesítésére.
A rétegvastagság mérésére.
A fotoreziszt és marási technológia vonalszélességének vizsgálatára.
Mit lehet elmondani a képen látható mérési eredményről?
Ha a függőleges tengelyen kapacitás értékek vannak, akkor ez egy nagyfrekvenciás C-V görbe, amelyet gyors előfeszítő jellel vettek fel egy MOS kapacitáson (folytonos vonal), illetve lassú előfeszítő jellel vettek fel (szaggatott vonal).
. Az ábra alapján a kisebbségi töltéshordozók élettartama nem határozható meg.
. Egy n hordozón kialakított MOS kapacitás C-V görbéje.
Az a MOS rendszer, amelyen ezt a görbét mérték kb. -2V esetén van Flat-Band állapotban, a nyitófeszültsége pedig -4 Volt körül van.
A szaggatott vonal a kvázisztatikus C-V görbe (inverzió van), a folytonos a nagyfrekvenciás görbe (inverzió nincs).
Egy p hordozón kialakított MOS kapacitás C-V görbéje
Ha a függőleges tengelyen kapacitás értékek vannak, akkor ez egy nagyfrekvenciás C-V görbe, amelyet gyors előfeszítő jellel vettek fel egy MOS kapacitáson (folytonos vonal), illetve lassú előfeszítő jellel vettek fel (szaggatott vonal). A nyitófeszültség kb. -1 volt, ekkor alakul ki az inverzió
Ha a függőleges tengelyen kapacitás értékek vannak, akkor ez egy kisfrekvencián felvett C-V görbe, a szaggatott vonal mutatja az inverzió létrejöttét.
A felület optikai frekvenciákon való leképezése
Nem alkalmas a felületet szennyező részecskék detektálására, mert ezek a fény hullámhosszához képest nagy méretűek is lehetnek.
A kis mélységélesség miatt sokkal jobban alkalmas bonyolult mikroelektronikai rétegszerkezetek vizsgálatára, mint a pásztázó elektronmikroszkópos képalkotás
A nagy mélységélesség miatt nem alkalmas mikroelektronikai rétegszerkezetek vizsgálatára.
Lencsékkel valósítható meg, ilyenkor a felbontást a lencse numerikus apertúrája és a fény hullámhossza korlátozza.
Nemcsak lencsékkel valósítható meg. Lencse nélküli képalkotás esetén a megvilágító fény hullámhosszához képest nagyobb felbontás is elérhető.
A tűs letapogatás (AFM, STM, Talystep)
Alkalmas rétegvastagságok meghatározására, hiszen a réteg szélénél kialakuló lépcső följebb nyomja a tűt. Laterális méretek (pld. csikszélesség) meghatározására ezek a módszerek nem alkalmasak.
Csak elektromosan vezető felületeken használhatók, mert az elektrosztatikus feltöltödés okozta erők az eredményt meghamisítják
Eredményeit alapvetően befolyásolja a tű lekerekítési sugara
Csak szigetelő felületeken használhatók
Eredményeit alapvetően befolyásolja a tű lekerekítési sugara, és a vizsgálandó felület alakja
Alkalmas rétegvastagságok és csíkszélességek meghatározására
Milyen célra használatos az alábbi alakzat?
. A négyzetes ellenállás pontos mérésére.
A jobboldali és a baloldali kontaktusok megkülönböztetésére
A kontaktusok átmeneti ellenállásának pontos mérésére.
A méréshez használt optikai rendszer hitelesítésére.
A tesztábra méréshez szolgáló berendezés kalibrálására
A fotoreziszt és marási technológia vonalszélességének vizsgálatára.
A félvezető alapanyagok (egykristály szeletek) legfontosabb elektromos jellemzői
Szelettérképen ábrázolhatok, segítve a szelettechnológia fejlesztését, illetve a megfelelő alapanyag kiválasztását.
Nem függenek össze az adalékolással, mert az adalékok koncentrációja elhanyagolhatóan kicsi (1:10000000-1:100000000). Viszont a vezetési típust befolyásolja az adalékolás
Csak elektromos módszerekkel vizsgálhatók, ehhez a szelethez kontaktusokat kell létesíteni.
A fajlagos ellenállás, a vezetési típus, a kisebbségi töltéshordozók élettartama.
Közül a négyzetes ellenállást lehet négytűs módszerrel meghatározni.
A fajlagos ellenállás, a vezetési típus.
Közül a kisebbségi töltéshordozók élettartamát lehet négytűs módszerrel meghatározni.
Közül a vezetési típust lehet négytűs módszerrel meghatározni.
A pásztázó elektron mikroszkóp jellemzői:
Alkalmazásával elméletileg az atomi méretekig terjedő felbontás is elérhető, a gyakorlatban ezt a felbontást nagyon nehéz elérni.
A pásztázó elektronmikroszkóp képalkotásában lencsék nem vesznek részt.
A beeső elektronok lefékeződése során röntgensugárzás is keletkezik, amely elem-analízisre ad lehetőséget
A pásztázó elektronmikroszkóp nem tartalmaz lencséket, az üveg egyébként sem alkalmas az elektronsugár manipulálására
. Nagy mélységélességű képek készítésére alkalmas.
A visszaszórt elektronokkal készített kép felbontása nagy, de az anyagi minőségre korlátozottan ad felvilágosítást
Leképező lencse hiányában a keletkezett kép mélységélessége kicsi.
A szilárdtest felületét nagyvákuumban elektronsugár tapogatja le.
A szekunder elektronokkal készített kép felbontása nagy, de az anyagi minőségre korlátozottan ad felvilágosítást
{"name":"MinAMi", "url":"https://www.quiz-maker.com/QPREVIEW","txt":"Test your knowledge on semiconductor technology and related measurement techniques with our comprehensive quiz. This engaging quiz covers various aspects of material properties, testing methods, and device structures.It is ideal for:Students in electronics and engineeringProfessionals looking to refresh their knowledgeAnyone interested in semiconductor technology","img":"https:/images/course7.png"}
More Quizzes
KISTARTÓ EXCELES KISKÉRDÉSEK 3.ZH
251213
Gyartas2_2ZH
241262
Diagnosztika 2
1085427
Info rendszerek 2. zh
201059
Software Development Mastery Quiz
1065342
Verval
158235
VerVal_parc_2022
1587
Which Kid from my Stories Familys are you?
7413
8 Ball Pool trucos Monedas ilimitadas Gratis
210
HOW WELL DO YOU KNOW LOREN FAGAGAGAGAGAGAGAGAGARAGAN
320
Discipline Management Quiz
14715
Mommy's favorite things
1050