Ele

A detailed infographic illustrating the various types of amplifiers, transistors, and their configurations in a colorful and informative style.

Amplifier and Transistor Knowledge Quiz

Test your knowledge of amplifiers and bipolar transistors with this engaging quiz! Dive deep into the fundamentals of feedback systems, transistor configurations, and semiconductor properties.

  • Multiple choice questions
  • Covers essential electronics concepts
  • Ideal for students and enthusiasts
13 Questions3 MinutesCreated by WiringWizard202
Jakiego sprzężenia zwrotnego nie stosujemy w układach wzmacniaczy m. cz:
Ujemnego równoległego-prądowego
Szeregowego - napięciowego dodatniego
Szeregowego - prądowego ujemnego
W którym układzie sprzężenia zwrotnego poprawie ulegają parametry impedancyjne wzmacniacza jako całości:
Szeregowo-napięciowe
Równolegle - napięciowe
Szeregowo-prądowe
W przypadku budowy wzmacniacza ze sprzężeniem zwrotnym, parametry układu jako całości opisane mogą być jednym prawidłowym zdaniem:
USZ zmniejsza wzmocnienie układu, zwiększa zniekształcenia nieliniowe, zmniejsza zniekształcenia liniowe
Zniekształcenia liniowe nie są związane z parametrami czwórnika sprzęgającego tylko zależą wyłącznie od parametrów wzmacniacza
W układzie z silnym USZ parametry wzmacniacza jako całości nie zależą od parametrów wzmacniacza pierwotnego
Analogicznie dla tranzytora bipolarnego, pracującego w układach WE, WB, WC, tranzystor J FET pracować może w układach pracy:
WS,WG,WD
WD, WS, WG
WG,WS,WD
Z charakterystyki częstotliwościowej możemy wyznaczyć następujący parametr:
Wzmocnienie napięciowe I impedancje wyjściową
Zniekształcenia liniowe I pasmo częstotliwości
Zniekształcenia liniowe I wzmocnienie prądowe
Potencjały elektrod tranzystora bipolarnego npn w stanie aktywnym muszą spełniać następujące zależności:
Vb>Vc>Ve
Vc>Ve>Vb
Vc>Vb>Ve
Potencjały elektrod tranzystora bipolarnego pnp w stanie aktywnym muszą spełniać następujące zależności:
Vb>Vc>Ve
Vc>Vb>Ve
Ve>Vb>Vc
Jaki parametr odczytamy z charakterystyki przejściowej dla tranzystora pracującego w układzie WE:
Rezystancję dynamiczną przy Uce=const
Wzmocnienie napięciowe przy Ube=const
Wzmocnienie prądowe przy Uce=const
W stanie nasycenia dla tranzystora krzemowego w układzie WE napięcie na ........??.... Przyjmuje wartośc:
0,7V
0,4 V
0,2 V
Która z wymienionych diod jest wykorzystywana w układach wysokoczęstotliwościowych?
Dioda prostownicza
Dioda zenera
Dioda pojemnościowa
Jaki zestaw parametrów diody nalezy wziąć pod uwage przede wszystkim przy projektowaniu układu prostownika?
Moc admisyjną diody, maksymalne napięcie wsteczne, maksymalny prąd w kierunku przewodzenia
Współczynnik temperaturowy złącza, maksymalne napięcie w kierunku przewodzenia, pojemność złączową
Maksymalny prąd przewodzenia, napięcie progowe w kierunku przewodzenia, pojemność złączową
Jakie domieszki do krzemu zmieniają go na półprzewodnik typu p:
Donorowe:fosfor, bor, antymon
Akceptorowe: bor, glin, gal
Akceptorowe: arsem, bizmut, fosfor
Nośniki większościowe w półprzewodnikach typu n to:
Elektrony
Dziury
Nie występują gdyż jest to przewodnik niesamoistny
{"name":"Ele", "url":"https://www.quiz-maker.com/QPREVIEW","txt":"Test your knowledge of amplifiers and bipolar transistors with this engaging quiz! Dive deep into the fundamentals of feedback systems, transistor configurations, and semiconductor properties.Multiple choice questionsCovers essential electronics conceptsIdeal for students and enthusiasts","img":"https:/images/course2.png"}
Powered by: Quiz Maker