Grile EII Colocviu

Generate an image of a complex electronic circuit with labeled components, a quiz interface overlaid, and a background of circuit diagrams and formulas, focusing on electrical engineering themes.

EII Colocviu Quiz

Test your knowledge with our comprehensive EII Colocviu Quiz, covering key concepts in electronic systems and control components. This quiz is designed for students and professionals alike, aiming to reinforce theoretical and practical understanding of electrical engineering topics.

  • Challenging multi-choice questions
  • Focus on electronic circuit behavior
  • Great resource for revision and practice
65 Questions16 MinutesCreated by EngineeringWave217
Aria de functionare sigura variază cu:
frecvenţa de comutaţie
Nu variază
Temperatura mediului ambiant
. Temperatura mediului ambiant şi frecvenţa de comutaţie
In fig. 13 controlul comutării In conducţie este realizat de componentele:
fig 13
RB1 , RB2
RB1 , RB2 , Cb
RB2 , Cb
RB2 , Cb , Das
In fig.13 etajul din stanga bornei Ucom este un:
Circuit basculant bistabil
Circuit basculant monostabil
. Circuit basculant astabil
Oscilator armonic
In fig.13, componentele ce alcătuiesc etajul de control antisaturaţie sunt:
D1 , D2 , D3 , Das
D1 , D2 , D3
D1 , D2
Das
In fig.2 impulsul de comandă ce amorsează tiristoarele redresorului semicomandat este:
Primul
Al doilea
Al treilea
Toate
In fig.3 filtrul curentului redresat este reprezentat prin:
C1
L1
L1 şi C1
R23 şi C3
In fig.3 filtrul mărimilor de ieşire redresate este reprezentat prin:
L1
C1
L1 şi C1
R17 , L1 şi C1
In fig.3 filtrul tensiunii redresate este reprezentat prin:
C1
C2
C3
C4
In fig.3, T5 şi T6 sunt:
TEC-­MOS
TEC-­J
TUJ
TEC
in fig.5, cand comutatorul K este inchis analiza variatorului c.a.­c.a. Se face pentru sarcină:
R
.R­-L
L
R1-­L
In fig.5, componentele Rcom şi Vcom au rolul:
Comandă tiristorul
Alimentează contactorul static
Alimentează diodele
Testează funcţionarea circuitului
In fig.5, intervalul tf corespunde unui TBP
Blocat
Saturat
In comutaţie ON
In comutaţie OFF
In fig.5, intervalul tr corespunde unui TBP
Blocat
Saturat
In comutaţie ON
In comutaţie OFF
In fig.5, intervalul ts corespunde unui TBP
Blocat
Saturat
In comutaţie ON
In comutaţie OFF
In urma analizei Fourier a curentului I(R) pe sarcină, s­a obţinut următorul tabel: 
1 A
0,5418 A
-­8,155462E­04 A
2,023574 A
in urma analizei Fourier a curentului I(R) pe sarcină, s­a obţinut următorul tabel:
­-0,8155462mA
5,418E­01A
7,573mA
1A
-8,155462E­04
0,1
1
5,418E­04
-1,623E+02
-­1,641E+02
1,398E­02
7,573E­03
Care afirmaţie este corectă?
Străpungerea primară este distructivă şi străpungerea secundară este distructivă
Străpungerea primară nu este distructivă şi străpungerea secundară este distructivă
Străpungerea primară este distructivă şi străpungerea secundară nu este distructivă
Străpungerea primară nu este distructivă şi străpungerea secundară nu este distructivă
Care dintre următoarele curbe ale AFS are caracter probabilistic?
I_CM
U_CEM
P_dMAX
Străpungerea secundară
Ce valoare are unghiul de fază al sarcinii pentru fig.5 in cazul sarcinii R­-L?
46°
30°
45°
90°
Cicloconvertorul este un convertor c.a.­c.a. La care se poate modifica:
Amplitudinea
Frecvenţa
Numărul de faze
Toate
Controlul comutării ON se realizează prin
Reducerea curentului injectat in bază
Reducerea lui ts
Reducerea lui tf
Aplicarea unui curent de bază iniţial mai mare
Dintre toţi parametrii de impuls, definiţi pentru un TBP, cel mai mic (neglijabil) este:
Tr
Td
Tf
Ts
Dioda din schema electrică echivalentă a unui TUJ modelează:
Procesul de comutaţie ON
Procesul de comutaţie OFF
Structura sa internă
Tensiunea u_EB1 a TUJ­-ului
Dioda DZ1 din fig.4 are rol de:
Alimentarea OR-­TUJ
Limitator al tensiunii de alimentare a OR-­TUJ
Referinţă de tensiune a OR­-TUJ
Protecţie la supratensiunile accidentale a XTUJ5
Dioda DZ3 din fig.4 are rol de:
Referinţă de tensiune a etajului diferenţial
Limitator al tensiunii din baza tranzistorului T2
Stabilizator al tensiunii din baza tranzistorului T2
Protecţie la supratensiune a tranzistorului T2
Durata impulsului de comandă a unui TBP se măsoară:
intre cele 2 valori successive de 0,9_IBM
Intre cele 2 valori successive de 0,9I_CM
Intre 0,1I_BM şi 0,9I_BM
Intre 0,1I_BM şi 0,9I_CM
Fenomenul de străpungere secundară se manifestă prin:
Multiplicarea in avalanşă a purtătorilor de sarcină
Depăşirea I_CM
Topirea locală a TBP
Depăşirea P_dM
Forma de undă la ieşirea unui OR­TUJ este:
Sinusoidală
Impulsuri dreptunghiulare
impulsuri exponenţiale
Triunghiulară
Instrucţiunea .PROBE are rolul:
De a genera fişierul de date fişierul de date necesar trasării graficelor
De a genera fişierul de date fişierul de ieşire necesar trasării graficelor
De a genera fişierul de date fişierul de intrare necesar trasării graficelor
Probează calculul PSF al dispozitivelor semiconductoare
. Instrucţiunea .TRAN 10n 100u semnifică:
Defineşte un transistor
Analiza regimului tranzitoriu
Analiza folosind transformata Fourier
Analiza folosind transformata Laplace
Mărimea ce poate fi reglată la un convertor c.a.­c.a. Cu comandă menţinută este:
Raportul K∕n
Unghiul de comandă α al tiristorului
Raportul Tc ∕Te
Raportul Te ∕T
Mărimea ce poate fi reglată la un convertor c.a.­c.a. Cu comandă prin eşantionare este:
Unghiul de comandă α al tiristorului
Raportul K∕n
Raportul Tc ∕Te
Raportul Te ∕T
Mărimea ce poate fi reglată la un convertor c.a.­c.a. Cu control de fază este:
Raportul K∕n
Unghiul de comandă α al tiristorului
Raportul Tc ∕Te
Raportul Te ∕T
Pe schema din fig.4.a se dau: Ec = 10V; R = 10Ω; UCEsat = 0,3V; tr = 0,5µs; t f = 0,1µs.Curentul de colector maxim al TBP este:
0,97A
1A
0,43A
1,05A
Pe schema din fig.4.a se dau: Ec = 10V; R = 10Ω; UCEsat = 0,3V; tr = 0,5µs; t f = 0,1µs. Puterea medie disipata pe TBP in comutatie directa pentru o frecventa de comutatie f = 20Hz este:
0,008mW
400µV
0,04mW
0,016mW
Pe schema din fig.4.a se dau: Ec = 10V; R = 10Ω; UCEsat = 0,3V; tr = 0,5µs; t f = 0,1µs. Puterea medie disipata pe TBP in comutatie inversa pentru o frecventa de comutatie f = 20Hz este:
0,04mW
0,003mW
0,04W
0,08mW
Pentru circuitul din fig.7 se dau: Ec = 30V; R = 4Ω; L = 25mH; UCEsus = 400V; Timpul de comutaţie OFF a TBP este:
0,625ms
6,25ms
46,875 µs
468,75 µs
Pentru circuitul din fig.7 se dau: Ec = 30V; R = 4Ω; L = 25mH; UCEsus = 400V; Timpul de comutaţie ON a TBP este:
0,625ms
. 46,875 µs
468,75 µs
6,25ms
Pentru fig.4 (sarcină R) şi fig.7 (sarcină R­L) se cunosc: Ec = 30V; R = 40Ω; L = 25mH; UCEsus= 400V; tON=0,1µs; tOFF=0,5µs; T=2ms. Comparând puterile medii disipate în blocare ele sunt:
Egale
Pe sarcină R sunt mai mici decât pe sarcină R­L
Pe sarcină R sunt mai mari decât pe sarcină R­L
Nu se pot compara folosind datele numerice din enunţ
Pentru fig.4 (sarcină R) şi fig.7 (sarcină R­L) se cunosc: Ec = 30V; R = 40Ω; L = 25mH; UCEsus= 400V; tON=0,1µs; tOFF=0,5µs; T=2ms. Comparând puterile medii disipate în comutaţie directă ele sunt:
Egale
Pe sarcină R sunt mai mici decât pe sarcină R­L
Pe sarcină R sunt mai mari decât pe sarcină R­L
Nu se pot compara folosind datele numerice din enunţ
Pentru fig.4 (sarcină R) şi fig.7 (sarcină R­L) se cunosc: Ec = 30V; R = 40Ω; L = 25mH; UCEsus= 400V; tON=0,1µs; tOFF=0,5µs; T=2ms. Comparând puterile medii disipate în comutaţie inversă ele sunt:
Egale
Pe sarcină R sunt mai mici decât pe sarcină R­L
. Pe sarcină R sunt mai mari decât pe sarcină R­L
nu se pot compara folosind datele numerice din enunţ
Pentru fig.4 (sarcină R) şi fig.7 (sarcină R­L) se cunosc: Ec = 30V; R = 40Ω; L = 25mH; UCEsus= 400V; tON=0,1µs; tOFF=0,5µs; T=2ms. Comparând puterile medii disipate în saturaţie ele sunt:
Egale
Pe sarcină R sunt mai mici decât pe sarcină R­L
Pe sarcină R sunt mai mari decât pe sarcină R­L
Nu se pot compara folosind datele numerice din enunţ
Pentru fig.4 (sarcină R) şi fig.7 (sarcină R­L) se cunosc: Ec = 30V; R = 40Ω; L = 25mH; UCEsus= 400V; tON=0,1µs; tOFF=0,5µs; T=2ms. Comparând puterile medii totale disipate ele sunt:
Egale
pe sarcină R sunt mai mici decât pe sarcină R­L
Pe sarcină R sunt mai mari decât pe sarcină R­L
Nu se pot compara folosind datele numerice din enunţ
Pentru un convertor c.a.­c.a. Cu sarcină R­L, având R=314Ω, L=1H, f=50Hz, unghiul de fază al sarcinii este:
π/4
π/6
60°
15°
Pentru un variator c.a.­c.a. Cu sarcină inductivă, cazul α = π∕ , impulsuri lungi, curentul este nul pentru:
π∕3
7π∕6
11π∕6
Curentul nu se anuleaza
Pentru un variator c.a.­c.a. Cu sarcină inductivă, cazul α = π∕ , impulsuri scurte, curentul este nul pentru:
2π∕3
7π∕3
11π∕6
π∕3
Pentru un variator c.a.­c.a. Cu sarcină R­L cazul cel mai periculos pentru componente este:
α = φ
α < φ
α > φ
α = arctg ωL ∕R
Perioada de oscilaţie a unui oscillator de relaxare realizat cu un TUJ, 3 rezistenţe şi un condensator poate fi variată prin modificarea:
Frecvenţei
Raportului de divizare intrinsec al TUJ­ului
Rezistenţelor bazelor RB1 şi RB2
Nu se poate modifica
Puterea medie disipată pe un TBP având Ec=300V, R=5Ω, T=20ms, tr=0,1µs, t f=0,5µs este maximă pentru TBP:
în comutaţie OFF
Blocat
în comutaţie ON
Saturat
Puterea medie disipată pe un TBP având Ec=30V, T=20ms, R=5Ω, L=10mH este maximă pentru TBP:
în comutaţie ON
în comutaţie OFF
Saturat
Blocat
Redresorul în punte necomandată din fig.4 este format din componentele:
D11 , D12 , D13 , D14
D1 , D2 , XTH2 , XTH1
D3 , D4
R1 , DZ1 , D11 , D12 , D13 , D14
Redresorul în punte semicomandată din fig.4 este format din componentele:
D11 , D12 , D13 , D14
D1 , D2 , XTH1 , XTH2
D3 , D4
R1 , DZ1 , D11 , D12 , D13 , D14
Rezistenţa RB1 din schema electrică echivalentă a unui TUJ modelează:
Tensiunea uEB1 a TUJ­ului
Structura sa internă
Procesul de comutaţie ON
Procesul de comutaţie OFF
Schema electrică echivalentă a unui triac este cea figurată în:
Fig.1.a
Fig.1.b
Fig.1.c
Fig.1.d
Snubber­ul OFF din fig. 13 are rolul de a reduce energia disipată pe TBP cu:
1/2
1/6
1/12
1/24
Snubber­ul ON din fig.13 are rolul de a
Reduce tensiunea la ieşirea TBP în comutaţie OFF
reduce tensiunea la ieşirea TBP în comutaţie ON
Reduce tensiunea la ieşirea TBP blocat
Reduce tensiunea la ieşirea TBP saturat
T6 din fig.3 face parte din:
Circuitul de protecţie al redresorului
Oscilator de relaxare cu TUJ
Reglajul unghiului de amorsare al tiristoarelor redresorului semicomandat
Reglajul tensiunii de alimentare a OR­TUJ
Timpul de intarziere la creştere al unui TBP se măsoară:
Intre 0,1IBM şi 0,1ICM
Intre 0,1IBM şi 0,9ICM
Intre 0,1IBM şi 0,9IBM
Intre cele doua valori succesive ale 0,9ICM
Tranzistoarele T1 , T2 , T3 din fig.4 fac parte dintr­-un:
Circuit de protecţie
Etaj de amplificare clasă A
O sursă de curent constant
Etaj de amplificare diferenţial
Triacul este contactor static de c.a. Realizat din:
1 dispozitiv semiconductor
2 dispozitive semiconductoare
4 dispozitive semiconductoare
5 dispozitive semiconductoare
Unghiul de stingere a tiristoarelor unui variator c.a.­c.a. Cu sarcină inductivă, având unghiul de amorsare a tiristoarelor de π3∕ este:
π
2π/3
5π/3
4π/3
Unghiul de stingere a tiristoarelor unui variator c.a.­c.a. Cu sarcină rezistivă, având unghiul de amorsare a tiristoarelor de π∕3 este:
π
2π/3
5π/3
4π/3
Variatorul c.a.­c.a. Este un convertor c.a.­c.a. La care se poate modifica:
Amplitudinea
Frecvenţa
Numărul de faze
Toate variantele de mai sus
{"name":"Grile EII Colocviu", "url":"https://www.quiz-maker.com/QPREVIEW","txt":"Test your knowledge with our comprehensive EII Colocviu Quiz, covering key concepts in electronic systems and control components. This quiz is designed for students and professionals alike, aiming to reinforce theoretical and practical understanding of electrical engineering topics.Challenging multi-choice questionsFocus on electronic circuit behaviorGreat resource for revision and practice","img":"https:/images/course2.png"}
Powered by: Quiz Maker