MCEMI EXAMEN

An educational illustration of a MOSFET transistor circuit with electric fields and terms in Romanian, featuring a quiz theme

MCEMI Exam Quiz

Testați-vă cunoștințele în domeniul ingineriei electronice cu acest quiz dedicat teoremelor și modelelor tranzistorilor MOS. Este o oportunitate excelentă de a vă verifica pregătirea pentru examenul MCEMI.

Întrebări despre joncțiuni pn, capacitivi MOS și efecte electrice
Verificați-vă înțelegerea conceptelor avansate
Ideal pentru studenți și profesioniști din domeniu

10 Questions2 MinutesCreated by LearningEngineer43

Aplicând teorema conducției electrice neliniare unei joncțiuni pn reale și notând tensiunea termică cu V rezultă că valoarea minimă acurentului de la care contează rezistența serie a dispozitivului corespunde unei căderi de tensiune pe rezistența serie egală cu

3VTH

VTH/2

VTH

2VTH

Referitor la factorul de substrat γ al unui capacitor MOS care dintre următoarele afirmații este falsă

Se măsoară în V^(1/2)

B. crește direct proporțional cu grosimea oxidului tox

D. crește invers proporțional cu grosimea oxidului tox

Datorită reducerii dimensiunilor unui tranzistor MOS care dintre următoarele afirmații este corectă referitor la tensiunea de prag VT?

Efectul de canal scurt constă în micșorarea VT și efectul de canal îngust constă în mărirea VT

Efectul de canal scurt constă în micșorarea VT și efectul de canal îngust constă în micșorarea VT

Efectul de canal scurt constă în mărirea VT și efectul de canal îngust constă în micșorarea VT

Efectul de canal scurt constă în mărirea VT și efectul de canal îngust constă în mărirea VT

Referitor la modelul unificat al tranzistorului MOS propus de TSIVIDIS care dintre următoarele afirmații este FALSĂ?

Calculul limitelor de apariție a inversiei moderate și a inversiei puternice se bazează pe 2 convenții aplicate capacităților structurii MOS

Limita de apariție a inversiei puternice VH se bazează pe relația |Qi|≈|QB|

Limita de apariție a inversiei puternice VH se bazează pe relația |Qi|>>|QB|

Limita de apariție a inversiei moderate VM se bazează pe relația |Qi|<<|QB|

Referitor la câmpul electric transversal Εx și la câmpul electric longitudinal Ey aproximația graduală constă în considerarea

|grad Ex|>>|grad Ey|

|Ex|>>|Ey|

|Ex|<<|Ey|

|grad Ex|<<|grad Ey|

Presupunând că valoarea parametrului St la conducția sub prag a unui tranzistor MOS este 100mV și că valoarea curentului de drenă este 0,1pA la o tensiune VG=0,2V să se calculeze valoarea curentului de drena la VG=VT=1V

10μA

1μA

0,1μA

10nA

Referitor la modelul unificat realizat la ENSERG, știind că g0 este 2mA/V la VG=10V atunci tensiunea de prag este

A. 2V dacă gm=1mA/V

B. 4V dacă gm=0,5mA/V

C. 2V dacă gm=2mA/V

D. 2V dacă gm=0,5mA/V

În cazul modelului Merckel-Borel-Cupcea al tranzistorului MOS valoarea coeficientului δ din expresia curentului de drenă

A. Are valori negative și corectează valorile curentului de drenă ID și ale tensiunii VDSP în sensul măririi acestora

B. Are valori pozitive și corectează valorile curentului de drenă ID și ale tensiunii VDSP în sensul micșorării acestora

C. Are valori negative și corectează valorile curentului de drenă ID și ale tensiunii VDSP în sensul micșorării acestora

D. Are valori pozitive și corectează valorile curentului de drenă ID și ale tensiunii VDSP în sensul măririi acestora

La frecvențe foarte mari ale semnalului aplicat capacitorului MOS capacitatea Ci

A. Scade deoarece sarcina purtătorilor minoritari din stratul de inversie se produce prin fenomene de difuzie care sunt lente

B. crește deoarece sarcina purtătorilor minoritari din stratul de inversie se produce prin fenomene de difuzie care sunt rapide

C. crește deoarece sarcina purtătorilor minoritari din stratul de inversie se produce prin fenomene de generare-recombinare care sunt rapide

D. Scade deoarece sarcina purtătorilor minoritari din stratul de inversie se produce prin fenomene de generare-recombinare care sunt lente

Referitor la modelul Ihantola-Moll care dintre următoarele afirmații este falsă

A. Modelează tranzistorul MOS aflat în inversie puternică

B. Este adesea denumit modelul cu sarcină de volum variabilă

C. Curentul de drenă este aproximat cu componenta sa de difuzie

D. Curentul de drenă este aproximat cu componenta sa de câmp

MCEMI EXAMEN

MCEMI Exam Quiz

More Quizzes