MCEMI EXAMEN 2
MCEMI EXAMEN 2: Test de Cunoștințe în Electronica Semiconductoarelor
Acest quiz este destinat tuturor celor care doresc să-și testeze cunoștințele în domeniul electronicii semiconductoarelor, în special în ceea ce privește tranzistorii MOSFET și circuitul echivalent. Este un instrument excelent pentru studiu și revizuire înainte de examene.
- 10 întrebări atent formulate
- Verifică concepte esențiale și teorii avansate
- Ideal pentru studenți, profesori și profesioniști din domeniu
La ce valoare a căderii de tensiune pe rezistența serie se obține un prag de current de la care contează efectul acestei rezistențe în cazul unui dispozitiv redresor?
A) ¾ din tensiunea termică
B) ½ din tensiunea termică
C) Egală cu tensiunea termică
D) Dispozitivul redresor nu prezintă rezistență serie
În cazul dependenței sarcinii din semiconductor de potențialul suprafeței acestuia, pentru zona de inversie puternică, se poate afirma despre comportamentul graficului că:
Crește liniar
Este constant
Are o creștere exponențială
Scade liniar
Modelul Ihantola-Moll este un model din seria celor care s-au ocupat de tranzistorul MOSFET:
În regimul de inversie puternică
În regimul de inversie slabă
În regimul liniar
Modelul Ihantola-Moll este un model corespunzător tranzistorului Bipolar
Tranzistorul MOSFET a fost conceput și, ulterior, a fost înțeles ca un rezistor variabil de suprafață controlat prin:
Potențialul de drenă
Tensiunea de poartă
Curentul de drenă
Potențialul de sursă
Modelul EKV este destinat simulării și proiectării:
Circuitelor digitale
Circuitelor analogice de tensiune înaltă și putere mare
Circuitelor analogice de tensiune joasă și curent mic
Circuitelor analogice de înaltă frecvență și tensiune înaltă
În circuitul echivalent de semnal mare al tranzistorului MOSFET, se regăsesc:
Capacitățile joncțiunilor sursă-substrat și drenă-substrat precum și capacitățile de suprapunere a porții peste sursă, respectiv drenă
Doar capacitățile de suprapunere a porții peste sursă, respectiv drenă
Doar capacitățile corespunzătoare joncțiunilor sursă-substrat și drenă-substrat
Modelul echivalent de semnal mare nu conține capacități
Circuitul echivalent de semnal mic al capacitorului MOS cuprinde:
Capacitatea oxidului de poartă
Capacitatea stratului golit de la suprafață precum și capacitatea oxidului de poartă
Capacitatea asociată sarcinii din stratul de inversie și capacitatea oxidului de poartă
Capacitatea oxidului de poartă, capacitatea stratului golit de la suprafață precum și capacitatea asociată sarcinii din stratul de inversie
Limitarea cresterii regiunii golite (xd) in raport cu cresterea tensiunii de poarta VG este un fenomen specific:
Regimului de inversie puternica
Regimul de inversie slaba
Fenomenul are loc atat in inversia puternica cat si in inversia slaba
Regimul de acumulare
{"name":"MCEMI EXAMEN 2", "url":"https://www.quiz-maker.com/QPREVIEW","txt":"Acest quiz este destinat tuturor celor care doresc să-și testeze cunoștințele în domeniul electronicii semiconductoarelor, în special în ceea ce privește tranzistorii MOSFET și circuitul echivalent. Este un instrument excelent pentru studiu și revizuire înainte de examene.10 întrebări atent formulateVerifică concepte esențiale și teorii avansateIdeal pentru studenți, profesori și profesioniști din domeniu","img":"https:/images/course4.png"}