Ep | Take the Quiz

A detailed illustration of various power electronic devices and circuits, showcasing semiconductor components, a rectifier circuit, and an inverter, with a technical background featuring circuit diagrams and electrical symbols.

Power Electronics Quiz

Test your knowledge on power electronics with our comprehensive quiz designed specifically for students and professionals in the field. With 85 challenging questions, you’ll delve into topics such as semiconductor devices, rectifiers, and inverter operations.

Key Features:

85 Questions
Multiple Choice Format
Detailed Explanations for Each Answer

85 Questions21 MinutesCreated by TestingTech42

ϝ� 1.Avantajul tranzistorului IGBT fata de tranzistorul MOS este:

� Comanda in tensiune

� O cadere de tensiune mai mica

� Aparitia fenomenului de zavorare

� Un snubber simplificat

Pentru o dioda semiconductoare de putere stratul p slab dopat are rolul

� De a permite diodei sa suporte tensiuni inverse mari

� De a permite diodei sa suporte densitati de curent mari

� De a permite diodei sa suporte tensiuni directe mari

� De a permite diodei sa suporte curenti inversi mici

La acelasi unghi de comanda, puterea reactiva absorita de un redresor semicomandat este fata de cazul unui redresor complet comandat

� Mai mare sau mai mica in functie de unghiul de comanda

� Mai mare

� Mai mica

� Identica

Functionarea in regim de invertor al unui convertor care functioneaza ca redresor in cadranul I se face in

� Cadranul I prin bascularea redresorului

� Cadranul trei

� Cadranul doi

� Cadranul patru

Prin controlul de faza, factorul de forma al tensiunii redresate este

� inbunatatit

� divizat

� inrautatit

� multiplicat

Caderea de tensiune datorata comutatiei:

� Scade valoarea tensiunii redresate

� Nu influenteaza valoarea tensiunii redresate

� Creste valoarea tensiunii redresate

� Reprezinta consum de putere reactiva

La un tranzistor MOS tensiunea vDS este fata de tensiunea vCE de la tranzistorul bipolar: (1) (4)

� Mai mica

� Mai mare

� Egala

� Depinde de temperatura

Pentru un redresor trifazat cu punct median daca notam cu Id valoarea medie a curentului prin sarcina atunci valoarea medie a curentului printr-o faza a secundarului transformatorului va fi:

� Id/sqrt(3)

� Id/6

� Id/3

Pentru un redresor trifazat in punte, daca notam cu Us valoarea efectiva a tensiunii de alimentare pe faza,atunci valoarea de varf a tensiunii inverse la bornele diodei va fi:

� Sqrt(3)*Us

� Sqrt(6)*Us

� Us

� Sqrt(2)*Us

Pentru redresorul monofazat monoalternanta necomandat, functionand cu sarcina RE scaderea valorii rezistentei:

� Poate determina strapungerea diodei

� Face sa scada valoarea medie a tensiunii redresate

� Face sa creasca valoarea medie a tensiunii redresate

� Nu influenteaza valoarea medie a tensiunii redresate

Tiristoarele cu conductie in invers (RCT) sunt dispozitive semiconductoare:

� comandate, unidirectionale in curent si unidirectionale in tensiune

� comandate, bidirectionale in curent si unidirectionale in tensiune

� comandate, bidirectionale in curent si bidirectionale in tensiune

� comandate, unidirectionale in curent si biderectionale in tensiune

Rolul filtrului de tip L de la iesirea redresorului este de a reduce:

� Ondulatia tensiunii continue

� Ondulatia tensiunii absorbite de redresor

� Ondulatia curentului continuu

� Ondulatia curentului absorbit de redresor

Avantajul tranzistorului IGBT fata de tranzistorul MOS este:

� o cadere de tensiune mai mica

� comanda in tensiune

� un snubber simplificat

� aparitia fenomenului de zavorare

Clasificarea tiristoarelor, in tiristoare normale si tiristoare rapide se face in functie de

� timpul de blocare

� timpul de intrare in conductie

� timpul de cadere

� timpul de stocare

Pentru un tiristor, reactia interna de curent, poate fi initiata daca prin acesta trece un curent :

� mai mic decat curentul de acrosare, notat IL

� mai mare decat curentul de mentinere, notal IH

� mai mic decat curentul de mentinere, notat IH

� mai mare decat curentul de acrosare, notat IL

Pentru dioda, limitarea supratensiunii de comutatie inversa se face cu ajutorul:

� unui grup RC

� unei sigurante fuzibile

� unei bobine de limitare

� unui diac

Factorul de amplificare in curent pentru tranzistorul Darlington este aproximativ

B=B1/B2

B=B2/B1

B=B1+B2

B=B1*B2

Pentru un tranzistor bipolar de putere, trecerea de la prima strapungere (reversibila) la cea de-a doua (ireversibila) se produce daca

� rezistenta de sarcina este prea mare

� rezistenta de sarcina este prea mica

� comanda se intrerupe

� circuitul de sarcina este puternic inductiv

Pentru un tiristor, zona de amorsare probabila este:

� Delimitata inferior prin IGR si VGR

� Delimitata superior prin IGT si VGT

� Delimitata superior prin IGM1 si VGM1

� Delimitata inferior prin PGM1 si PGM2

Un redresor comandat consuma fata de un redresor necomandat:

� Aceeasi putere reactiva

� O putere reactiva mai mare sau mai mica in functie de unghiul de comanda

� O putere reactiva mai mare

Cauza fenomenului de „rasturnare” a invertorului poate fi:

� cresterea unghiului de comanda

� scaderea unghiului de comutatie

� defectarea a trei tiristoare

� cresterea rezistentei de sarcina

ϝ� Dioda semiconductoare de putere are:

2 straturi semiconductoare,p si n,slab dopate

2 straturi semiconductoare,p si n,puternic dopate

3 straturi semiconductoare,p SN p

3 straturi semiconductoare,p Sp n

4 straturi semiconductoare p n p n

ϝ� Pentru ca tensiunea pe care o poate tine o jonctiune pn la polarizarea inversa sa fie cat mai mare zonele semiconductoare trebuie sa fie :

ϝ� Dioda semiconductoare este un dispozitiv necomandabil, unidirectional in curent si unidirectional in tensiune

True

False

ϝ� Protectia unui tiristor impotriva di/dt se face cu: o inductivitate in serie cu tiristorul

True

False

ϝ� Cea mai eficienta metoda de blocare pentru un tranzistor bipolar de putere este : polarizarea inversa a jonctiunii baza emitor

True

False

ϝ� Cel mai mare curent rezidual de colector, pentru un tranzistor de putere blocat, la aceeasi tensiune colector-emitor se obtine pentru metoda de blocare prin :lasarea bazei in gol

True

False

ϝ� Tensiunea la iesirea redresorului trifazat cu punct median are : 3 pulsuri pe perioada

True

False

ϝ� Daca in urma calculelor rezulta Tvj>150 grade, pastrand profilul radiatorului, lungimea acestuia va trebui:crescuta

True

False

ϝ� Potentialul bornei „P” din schema redresorului trifazat in punte necomandat urmareste: infasuratoarea pozitiva a sistemului tensiunilor de alimentare

True

False

ϝ� In formula de calcul a puterii medii dezvoltate in conductie, rT reprezinta: rezistenta dinamica a diodei

True

False

ϝ� In schema termica echivalenta pentru ansamblul dioda-radiator marimea RthCA reprezinta: rezistenta termica capsula-mediua ambiant

True

False

ϝ� In cazul unui redresor monofazat cu punct median, pe durata comutarii, tensiunea la iesire este : zero

True

False

ϝ� Afirmatia ca „dioda blocata este chivalenta cu o rezistenta de valoare mare” este:

True

False

ϝ� Afirmatia ca „reactia interna de curent poate fi initiata prin tiristor daca trece un curent mai mare decat curentul de acrosare”:

True

False

ϝ� Amorsarea prin efectul dvp/dt se produce: in prezenta curentului de comanda pe poarta, la aplicarea tensiunii directe, cu panta foarte mare, la bornele unui tiristor blocat in direct

True

False

ϝ� Pentru un tiristor timpul de intarziere scurs in momentul aplicarii si momentul in care tensiunea la bornele tiristorului a scazut la valoarea 0,9 U A-K in stare blocata se noteaza tg alpha

True

False

ϝ� Pentru tiristorul aflat in procesul de blocare, t IT reprezinta : timpul de revenire invers

True

False

ϝ� Dioda de putere polarizata invers este echivalenta cu: o rezistenta foarte mare, practic un intrerupator deschis

True

False

ϝ� Un tiristor intra in condctie daca: se aplica o tensiune pozitiva intre anod si catod si se injecteaza un semnal de comanda anod

True

False

ϝ� Curentul de mentinere al tiristorului este: curentul de la care tiristorul ramane in conductie si dupa aularea semnalului de comanda in grila

True

False

ϝ� Amorsarea prin efect d/dt se produce: in absenta comenzii, la aplicarea unei tensiuni directe cu o panta de crestere, la bornele unui tiristor initial blocat

True

False

ϝ� Tensiunea de comutatie V RM care apare la bornele diodei in timpul procesului de blocare, cu tensiunea inversa V R pe care o tine dioda: mai mare de cel putin 2 ori (>)

True

False

ϝ� Afirmatia ca „tiristorul GTO functioneaza ca un tiristor conventional la pol directa.....”

True

False

ϝ� Zona din planul (i c ; V CE) in care se folosesc tranzistoare bipolare de putere in conductie este: zona de saturatie

True

False

ϝ� Rolul inductivitatii din snubberul ON pentru tranzistorul bipolar de putere : micsora panta de crestere a curentului de colector

True

False

ϝ� Rolul de dioda in regim liber (DRL) in cazul redresorului in punte monofazat semicomandat (cu o celula de comutatie cu tiristoare si una cu diode) il poate juca

� Tiristor- tiristor din aceeasi celula de comutatie

� Tiristor- dioda din acelasi brat

� Dioda- dioda din aceeasi celula de comutatie

� Tiristor- dioda din brate diferite

ϝ� Conditia ca un redresor in punte, complet comandat, sa poata functiona in regim de invertor este ca: sa existe o sarcina activa (RLE) + unghiul de comanda sa fie mai mare de 90 de grade electrice

True

False

ϝ� In practica, pentru a asigura o punere in valoare a punctelor trifazate si in regimul de conducere intermitent, impulsurile de comanda pentru fiecare tiristor sunt : duble

True

False

ϝ� Un redresor comandat cu dioda de regim liber functionalizeaza: in primul cadran al planului (U d , I d)

True

False

ϝ� Convertorul in patru cadrane fara curent de circulatie se obtine prin : montarea in antiparalel a doua convertoare de doua cadrane

True

False

Pentru redresorul monofazat monoalternanta necomandat,functionand cu sarcina rezistiv-inductiva,unghiul de conductive al diodei : -depinde de valoarea rezistentei

True

False

Controlul de faza este o metoda de comanda a redresoarelor care permite reglajul valorii medii a tensiunii redresate: -in mod continuu

True

False

Conditia ca redresorul comandat sa functioneze in regim de invertor cu comutatie naturala pilotat de retea este ca : -sa existe o sarcina active RLE

True

False

In cazul sarcinii reale conductia intermitenta apare: -la curenti mici pentru redresori si mari pentru invertor

True

False

Datorita comutatiei,puterea absorbita de un redresor: -creste fata de cazul comutatiei ideale

True

False

Diodele semiconductoare de putere sunt dispositive semiconductoare: -necomandabile,unidirectionale in current,si unidirectionale in tensiune

True

False

Aria de amorsare sigura pentru un transistor bipolar de putere -creste odata cu cresterea temperaturii

True

False

Clasificarea diodelor,in diode normale si diode rapide se face in functie de : -timpul de revenire in invers

True

False

Rolul inductivitatii din snubber-ul ON este de a : -diminua panta de crestere a curentului de colector

True

False

Pentru un tristor,ruperea reactiei interne de current si implicit blocarea sa,se produce daca: -curentul prin tristor scade sub valoarea curentului de acrosare IL

True

False

Cea mai ineficienta metoda de blocare este pentru tranzistorul bipolar: -lasarea bazei in gol

True

False

Unlock and Upgrade

Remove all limits from your Quizzes

Ep

Power Electronics Quiz

More Quizzes