Testy
Power Electronics Proficiency Quiz
Test your knowledge in the field of power electronics with our comprehensive quiz. Covering various topics such as circuit design, power conversion, and energy storage, this quiz is designed for students and professionals alike.
Join us to enhance your understanding and see how you measure up against industry standards!
- 22 engaging questions
- Multiple choice format
- Immediate feedback on your answers
1. Indukcyjność źródła zasilania w prostowniku trójfazowym powodują:
A) Zwiększenie napięcia wyjściowego ze wzrostem obciążenia
B) Zmniejszenie napięcia wyjściowego ze wzrostem obciążenia
C) Zmianę biegunowości napięcia wyjściowego
D) Nie wpływają na napięcie wyjściowe
2. Inteligentne moduły mocy mogą zawierać:
A) Prostownik I falownik z interfejsem do mikrokontrolera
B) Falownik z tranzystorami bipolarnymi
C) Prostownik jednopołówkowy I falownik wraz z warystorami
D) Falownik z tranzystorami IGBT I sterownikiem bramkowym
E) Falownik wraz ze sterownikiem bramkowym
F) prostownik, falownik, łącznik energoelektroniczny przeznaczony do hamowania dynamicznego oraz sterowniki tranzystorów
G) prostownik I falownik z ogranicznikiem prądu ładowania kondensatora obwodu pośredniczącego
H) prostownik I falownik z kondensatorem obwodu pośredniczącego
I) mostek tyrystorowy
J) falownik tranzystorowy wraz z tranzystorem I diodą hamowania
K) falownik tyrystorowy
L) czujnik temperatury modułu
M) prostownik jednopołówkowy I falownik
3. Czas martwy falownika napięcia określa:
A) Czas trwania stanów zerowych falownika
B) Czas pomiędzy sygnałem wyłączającym jeden tranzystor, a sygnałem załączającym drugi tranzystor tego samego półmostka
C) Opóźnienie pomiędzy sygnałem sterującym bramką tranzystora a jego załączeniem
D) Czas po którym tranzystor falownika ulegnie uszkodzeniu
4. W konstrukcji przekształtnika impulsowego zasilanego napięciem stałym o wartości 24V, prądzie wyjściowym o częstotliwości pracy 100kHz należy zastosować:
A) Moduł inteligentny z tranzystorami IGBT
B) Tranzystory mocy bipolarne BJT
C) Tranzystory mocy MOS
D) Tranzystory GTO
5. Układy gromadzące energię (zasobnik) mogą opierad się na:
A) Superkondensatorach o małej rezystancji wewnętrznej
B) Bateriach akumulatorów elektrochemicznych
C) Cewkach o dużej rezystancji wewnętrznej
D) Kołach zamachowych
6. Do starowania tranzystorami mocy IGBT oraz MOS stosujemy sterowniki bramkowe, które zapewniają:
A) Napięcie załączające nie większe niż 20V I wyłączające mniejsze niż 20V
B) Sterowanie sygnałem napięciowym (o znikomo małej wydajności prądowej obwodu bramki), bo obwód bramki posiada bardzo dużą oporność
C) Rozwarcie obwodu bramki w sensie wyłączenia tranzystora
D) Odpowiednią wydajność prądową w stanie załączania I wyłączania, gdyż obwód bramki ma stosunkowo dużą pojemność
7. W konstrukcji prostownika sterowanego zasilanego napięciem z elektromagnetycznej sieci trójfazowej można zastosować:
A) Tranzystory MOSFET
B) Tranzystory iGBT z diodami zwrotnymi
C) Tyrystory
D) Tyrystory I diody
8. W konstrukcji przekształtnika impulsowego zasilanego napięciem stałym o wartości 750V, prądzie wyjściowym XXX, częstotliwości pracy 2kHz należy zastosować:
A) Moduł inteligentny z tranzystorami IGBT
B) Tranzystory mocy bipolarne BJT
C) Tranzystory mocy MOS
D) Tranzystory GTO
9. W celu zmniejszenia zaburzeń w obwodach sterowania urządzeń energoelektronicznych stosujemy:
A) Transoptory
B) Światłowody
C) Diody zwrotne o dużym czasie odzyskiwania zdolności zaporowej- trr
D) Kondensatory odsprzęgające
E) Transoptory lub światłowody
F) Cewki indukcyjne łączone szeregowo z tranzystorami
10. Komutacja ‘miękka’ w przekształtnikach DC/DC charakteryzuje się:
A) Zmniejszeniem mocy strat łączników energoelektronicznych
B) eliminacją łączeniowych strat mocy
C) Minimalizacją zaburzeń elektromagnetycznych
D) Eliminacją strat mocy podczas przewodzenia
E) Większą częstotliwością pracy łączników(to to samo co f)
F) Zwiększoną częstotliwością przełączania tranzystorów mocy
G) Zwiększeniem mocy strat łączników energoelektronicznych
H) Zwiększeniem hałasu urządzenia energoelektronicznego
I) Pogorszeniem właściwości dynamicznych przekształtników
J) Przełączaniem tranzystorów mocy w stanie bezprądowym I beznapięciowym
11. Wielopulsowe prostowniki trójfazowe stosujemy:
A) W prostownikach bardzo małej mocy
B) W układach dużej mocy
C) W celu zwrotu energii do sieci zasilającej
D) W celu eliminacji transformatora w obwodzie DC
12. Jakie dodatkowe elementy- oprócz diody I tranzystora –niezbędne są w celu realizacji przekształtnika typu ZCS:
A) Cewka I kondensator
B) Rezystor
C) Obwód rezonansowy o dużej rezystancji
D) Kondensator
13. Na jakiej drodze sprzężeń mogą przenosić się zaburzenia w obwodach sterowania urządzeń energoelektronicznych:
A) Fal świetlnych w obwodach transoptora I światłowodu
B) Tylko indukcyjnych
C) Przewodzonych, pojemnościowych I indukcyjnych
D) Pojemnościowych poprzez kondensatory odsprzęgające
14. Specjalizowane porty mikrokontrolerów obsługują:
A) Generatory PWM do sterowania trójfazowych falowników
B) Przyrostowe przetworniki impulsowe do pomiaru położenia kątowego
C) Szybkie wielokanałowe przetworniki pomiarowe sygnałów analogowych
D) Generują impulsy sterujące bezpośrednio bramkami tranzystorów mocy
E) Bezpośredni pomiar prądów fazowych trójfazowych falowników
15. W konstrukcji przekształtnika impulsowego zasilanego napięciem stałym o wartości 2000V, prądzie wyjściowym 1000A, częstotliwości pracy 1kHz należy zastosowań:
A) Tyrystory
B) Tranzystory mocy bipolarne BJT
C) Tranzystory mocy MOS
D) Tranzystory GTO
16. W konstrukcji prostownika sterowanego zasilanego napięciem z sieci trójfazowej można zastosować:
A) Tranzystory MOSFET
B) Tranzystory IGBT z diodami zwrotnymi
C) Tyrystory
D) Tyrystory GTO
17. Transoptor liniowy:
A) Składa się z diody LED I fototranzystora
B) Działa w oparciu o diodę LED oraz fotodiodę sprzężenia zwrotnego I fotodiodę wejściową
C) Poprzez wejściową charakterystykę logarytmiczną linearyzuje wejściową charakterystykę wykładniczą diody
D) Umożliwia bezpośrednią separację sygnałów stało I zmiennoprądowych
18. W układzie falownika tranzystorowego zastosowano transoptor o współczynniku CMTI = 10 kV/us. Czy układ będzie odporny na zaburzenia elektromagnetyczne, jeżeli nastąpi komutacja tranzystora I w czasie 200 ns napięcie zmieni się o 1000:
A) układ będzie zawsze odporny na zaburzenia, gdyż transoptor rozdziela masy obwodu sterowania I obwodu mocy
B) będzie odporny na zaburzenie
C) nie będzie odporny na zaburzenie
D) będzie odporny dla transoptora o zmniejszonej wartości parametru CMTI
19. Szybki transoptor jest elementem, w którym znajdują się:
A) dioda LED I fotorezystor
B) dioda LED, fotodioda I bufor wzmacniający
C) dioda LED I fototranzystor
D) diody LED I fotodioda
20. Dopuszczalna wartość prądu dla ścieżki obwodu drukowanego o szerokości 1 mm wynosi około:
A) 10 mA
B) 5 A
C) 500 mA
D) 25 A
{"name":"Testy", "url":"https://www.quiz-maker.com/QPREVIEW","txt":"Test your knowledge in the field of power electronics with our comprehensive quiz. Covering various topics such as circuit design, power conversion, and energy storage, this quiz is designed for students and professionals alike.Join us to enhance your understanding and see how you measure up against industry standards!22 engaging questionsMultiple choice formatImmediate feedback on your answers","img":"https:/images/course8.png"}