CAN2
Memory Electronics Quiz
Testați-vă cunoștințele despre circuite de memorie, tranzistori și tehnologia CMOS cu acest quiz riguros conceput. Este perfect pentru studenți, profesori și pasionați de electronică care doresc să-și verifice înțelegerea subiectelor avansate.
Veți explora concepte esențiale precum:
- Memorii DRAM și SRAM
- Principiile funcționării tranzistorelor
- Circuitelor integrate și consumului de putere
Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor(2 raspunsuri)
Celulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
Celule de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
Informatia este stocata in bistabile realizate cu tranzistoare MOS
Informatie este stocata intr un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotanta
Informatia este stocata in condensatoare
Care afiramatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS(2 raspunsuri)
Este o memorie adresabila prin continut
Este o memorie nevolatile
Este o memorie volatila
Operatia de citire nu este distructiva
Operatia de citire este distructiva
La dispozitivele de cautare hardware CAM codificatorul (1 raspuns)
Returneaza datele din memorie pe baza adresei
Primeste datele cautate si genereaza adresa datelor
Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor cautate
Returneaza semnalel de matching ce descriu datele cautate
Pe fronturile de comutaţie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată... (alegeți 1 răspuns)
Poarta nu consumă curent
Crește consumul de putere
Toate variantele
Unul dintre cele doua tranzistoare MOS complementare este blocat
Cate impulsuri de tact (aproximativ) trebuie sa treaca pentru fiecare bit, in cadrul unei transmisii seriale (e.g. UART), daca se utilizeaza un oscilator un frecventa de 12MHz si se doreste obtinerea unei rate Baud de 115200 biti pe secunda? (Selectati 1 raspuns):
115
12
75
104
Despre timpii de propagare în circuitele logice integrate, se pot afirma următoarele: (alegeți 2 răspunsuri)
Timpii de întârziere se calculează exclusiv pe baza semnalului de ieşire.
Timpii de creștere și de cădere (Rise Time şi Fall Time) se definesc pentru fronturile de tensiune ale semnalului
Timpul de propagare nu influențează valoarea maximă a frecvenței semnalului de intrare;
Timpul de propagare mediu nu include timpii de întârziere;
Se definesc tinand cont de amplitudinea semnalului de intrare, precum şi a celui de iesire:
Pentru asigurarea unui curent mare de ieşire, driverul 4511 are prevăzut la ieşire un: (alegeți 1 răspuns)
Amplificator cu reactie negativă
Amplificator cu reacție pozitivă
Tranzistor cu efect de câmp cu canal p
Tranzistor bipolar
Nimic
La memoriile CAM semnalele de matching (alegeți 1 răspuns):
Sunt preîncărcate la '0' logic
Starea '1' logic indica faptul ca exista cel puțin un bit memorat care nu corespunde cu bitul căutat
Starea '0' logic indica faptul ca exista cel puțin un bit memorat care nu corespunde cu bitul căutat
Sunt preîncărcate la '0' logic
Tensiunea de prag (Vt) a tranzistorului MOS este: (alegeti 1 răspuns)
O valoare a tensiunii grila-drenĝ
O valoare a tensiunii grilei
O valoare a tensiunii sursă-bază
O valoare a tensiunii grila-sursa
Care afirmații sunt adevărate în cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeti 2 raspunsuri)?
Informatia este stocata in condensatoare
Informatia este stocată în bistabile realizate cu tranzistoare MOS
Informatia este stocată într-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina și poarta flotanta
Celulele de memone nu trebuie reîncărcate după fiecare ciclu de citire
Celulele de memorie trebuie reincarcate după fiecare ciclu de citire
Selectati ordinea corecta de executie a etapelor executate de un microcontroller pentru gestionarea unei intreruperi (Selectati 1
Determina sursa de intrerupere, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
Determina sursa de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
Determina sursa de intrerupere, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii
Salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, determina sursa de intrerupere, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
Selectați ordinea corecta a activării intrărilor pentru scrierea în memoriile RAM (alegeți 1 răspuns):
Adresa, selectie, semnal read/write, date
Adresa, semnal read/write, selectie, date
Selectie, adresa, semnal read/write, date
Date, adresa, selectie, semnal read/write
La un tranzistor MOS la care nu aplicăm potential in grila: (alegeți 1 răspuns)
Dacă intre drenă şi sursă se aplică o tensiune pozitivă, una din joncţiuni este polarizată invers => nu există curent intre drenă şi sursă => tranzistorul este blocat
Dacă intre drenă şi sursă se aplică o tensiune pozitivă, una din joncţiuni este polarizată invers => nu există curent intre drenă şi sursă => tranzistorul funcționeazil in regim normal
Dacă intre drenă şi sursă se aplică o tensiune pozitivă, una din joncţiuni este polarizată invers => nu există curent intre drenă şi sursă => tranzistorul functioneaza in regim invers
Bifati varianta greşită referitoare la semnalele electrice: (alegeti 1 răspuns)
Cu cât creşte perioada unui semnal sinusoidal, cu atât scade pulsatia
Semnalele electrice unidimensionale pot fi doar continue
Inversul frecvenței reprezintă perioada
Amplitudinea semnalului este o caracteristică atât pentru semnalele digitale cât şi pentru cele analogice
Despre nivelurile logice ale porții fundamentale ŞI-NU construită în tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (alegeti 2 raspunsuri)
Pentru a genera "1" logic, tensiunea minim acceptată la ieşire este 2V;
Pentru a fi comandată cu "1" logic, tensiunea minim acceptata la intrare este 2,4V
Tensiunea maxim acceptată la iesire pentru a genera "0" logic este de două ori mai mare decât tensiunea maxim acceptată la intrare pentru a fi comandată cu "0" logic
Tensiunea minim acceptată la ieşire pentru a genera 1 logic este mai mare decât tensiunea minim acceptata la intrare pentru a fi comandata cu "1" logic
Tensiunea la care tensiunile de intrare și iesire sunt egale se numeşte tensiune prag.
Bifat varianta/variantele corecte referitoare la impuls: (alegeb 2 răspunsuri)
Pentru a defini corect perioada impulsului, aceasta trebuie să fie mai mică decât durata regimului tranzitonu din circuit
Prin compunerea a 2 semnale de tip treaptă se poate obtine un impuls
Pentru a defini corect perioada impulsului, aceasta trebuie să fie mai mare decât durata regimului tranzitonu din circuit
Timpul de ndicare a impulsului este acelaşi cu timpul de coborâre
Care dintre următoarele relații sunt adevărate in cazul unui tranzistor bipolar aflat in regiunea activa normal? (alegeți 2 raspunsuri)
Ic = Ie + Ib
Ic = beta*ib
Vbe = 0.2V
B = beta - Ie
Ie = Ic + Ib
Care dintre următoarele relații sunt adevărate în cazul unui tranzistor bipolar aflat în regiunea de saturație?
Vbe aprox 0,75V
Le = Ic+ lb
K = le + lb
Ic> beta Ib
Vbe aprox 0,2V
Care este rolul caracteristicii de histerezis? (alegeți 1 raspuns)
menține nivelul 1 logic la output indiferent de input
Defineste niveluri diferite la intrare pentru trecerea intre stările de 0 şi 1 logic pentru a nu reactiona la variații mici de tensiune
Menţine nivelul 0 logic la output indiferent de input
Se asigură că trecerea între stările 0 şi 1 logic are loc la aceeasi tensiune de prag
Despre marginile de zgomot ale porții fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (alegeți 4 raspunsuri)
Valoarea garantată a marginii de zgomot pentru "0" logic este egală cu valoarea garantată a marginii de zgomot pentru "1" logic
Valoarea reală a marginii de zgomot pentru "0" logic depaseste valoarea garantată pentru aceeaşi stare logică;
Marginile garantate de zgomot explică preferinţa ca starea de înaltă impedanță a unui circuit logic să fie comandată cu starea logica '1'.
Marginile reale de zgomot explică preferinţa ca starea de înaltă impedanta a unui circuit logic să fie comandată cu starea logica "1"
Valoarea garantată a marginii de zgomot pentru "0" logic este de 0,4V;
Valoarea garantată se calculează în funcție de tensiunea prag:
Care afirmații sunt adevărate în cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor (alegeti 2 răspunsuri)?
Celulele de memorie nu trebuie reîncărcate după fiecare cidu de citire
Celulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
Informatia este stocata in bistabile realizate cu tranzistoare MOS
Informația este stocată intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina şi poartă flotantă
Informatia este stocata în condensatoare
Care afirmatii sunt adevărate în cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeți 2 răspunsuri)?
Este o memorie adresabila prin continut
Este o memorie nevolatila
Este o memorie volatila
Operatia de citire nu este distructiva
Operatia de citire este distructiva
La dispozitivele de căutare hardware CAM codificatorul (alegeți 1 răspuns):
Returnează datele din memorie pe baza adresei
Primeste datele căutate şi genereaza adresa datelor
Primește semnalele de la liniile match şi genereaza adresa datelor căutate
Returnează semnale de matching ce descriu datele căutate
Pe fronturile de comutaţie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată... (alegeți 1 răspuns)
Poarta nu consumă curent
Creşte consumul de putere
Toate variantele
Unul dintre cele doua tranzistoare MOS complementare este blocat
Într-o sursă de tensiune continua, transformatorul... (alegeți 2 răspunsuri)
Modifica în secundar forma de undă din primar
Generează o tensiune cât mai apropiată de tensiunea continuă
Atenuează variațiile de tensiune furnizate de redresor
Poate scădea sau creşte în secundar valoarea tensiunii din primar
Separa aparatul de reţeaua de curent alternativ
Factorul de calitate al circuitelor logice reprezintă... (alegeți 1 răspuns)
Suma dintre timpii de propagare
Diferenta în modul dintre consumul de putere în regim static şi dinamic
Raportul dintre consumul de putere și timpul de propagare
Produsul dintre timpul de propagare şi consumul de putere
Pentru stocarea datelor/programului unui microcontroller se poate utiliza, din punct de vedere al componentelor hardware, fie a singura memorie ce contine si date si program, fie doua memorii separate, una pentru date, alta pentru program. Care sunt efectele utilizarii unei singure memorii in loc de doua? (Selectati 1 raspunsuri))
Reducerea dimensiunii circuitului final
Cresterea consumului de putere al circuitului
Cost mai redus al componentelor
Necesitatea utilizarii a doua magistrale separate pentru accesul la memorie
Care din afirmațiile legate de consumul de putere în circuitele logice integrate sunt false? (alegeți 2 răspunsuri)
Puterea consumată în regim de comutaţie este direct proporțională cu frecvența de comutare a circuitului logic;
Curentul de ieşire în scurtcircuit reprezintă un parametru caracteristic al consumului de putere.
Puterea consumată în regim de comutaţie este direct proporțională cu pătratul tensiunii alimentare;
Puterea totală consumată reprezintă diferența dintre puterea consumată în curent continuu şi puterea consumată în regim de comutaţie;
Puterea consumată in curent continuu are o valoare mai mare decât puterea consumată în regim de comutaţie;
{"name":"CAN2", "url":"https://www.supersurvey.com/QPREVIEW","txt":"Testați-vă cunoștințele despre circuite de memorie, tranzistori și tehnologia CMOS cu acest quiz riguros conceput. Este perfect pentru studenți, profesori și pasionați de electronică care doresc să-și verifice înțelegerea subiectelor avansate.Veți explora concepte esențiale precum:Memorii DRAM și SRAMPrincipiile funcționării tranzistorelorCircuitelor integrate și consumului de putere","img":"https:/images/course2.png"}